Daftar produk menurut merek NXP Semiconductors

Transistor RF 2SC1971 dengan power output 6W yang didesain untuk frekuensi VHF

Transistor NPN general-purpose

1W wideband transistor NPN 7 GHz dengan casing plastik 4-pin SOT223

A 650 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band. The BLF184XR and BLF184XRS are capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR > 65 : 1 through all phases under the following conditions: VDS = 50 V; IDq = 100 mA; PL = 650 W pulsed; f = 108 MHz.

BLF188XR is a 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band.

BLF188XR is a 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band.

BLF245 30W VHF power MOS transistor

BLF278 300W VHF push-pull power MOS transistor

BLF574 400 W LDMOS transistor daya untuk aplikasi siaran dan aplikasi industri pada band HF dan VHF

BLF578 1000W LDMOS transistor daya untuk aplikasi siaran dan aplikasi industri dalam rentang band HF sampai 500 MHz

N-Channel VHF/UHF Amplifier Transistor

Transistor Daya RF 1500W NXP MRF1K50H ini dirancang untuk menghasilkan 1.50kW CW pada tegangan 50V sehingga mengurangi jumlah transistor pada amplifier RF berdaya tinggi.