Komponen Pemancar

RD30HVF1 is a MOS FET type transistor specificallydesigned for VHF RF power amplifiers applications.FEATURES•High power gain:Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz•High Efficiency: 60%typ.APPLICATIONFor output stage of high power amplifiers in VHF bandMobile radio sets.

RD70HVF1 is a MOS FET type transistor specificallydesigned for VHF/UHF High power amplifiersapplications.FEATURESHigh power and High Gain:Pout>70W, Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHzPout>50W, Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHzHigh Efficiency: 60%typ.on VHF BandHigh Efficiency: 55%typ.on UHF BandAPPLICATIONFor output stage of high power amplifiers in VHF/UHF Band mobile Radio sets

A 650 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band. The BLF184XR and BLF184XRS are capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR > 65 : 1 through all phases under the following conditions: VDS = 50 V; IDq = 100 mA; PL = 650 W pulsed; f = 108 MHz.

RF power modul untuk pemancar link frekuensi 330-400 MHz, RA13H3340M, 13 Watt, 12.5V

2SC1946A merupakan transistor jenis NPN untuk penguat VHF dengan daya keluaran 30W

2SC2694 merupakan transistor RF jenis NPN yang bekerja sampai VHF 175MHz dengan power out 70W.

1W wideband transistor NPN 7 GHz dengan casing plastik 4-pin SOT223

N-Channel VHF/UHF Amplifier Transistor

Transistor NPN general-purpose

Transistor RF 2SC1971 dengan power output 6W yang didesain untuk frekuensi VHF

Transistor RF 2SC1972 dengan power output 18W yang didesain untuk frekuensi VHF

Transistor Daya RF 1500W NXP MRF1K50H ini dirancang untuk menghasilkan 1.50kW CW pada tegangan 50V sehingga mengurangi jumlah transistor pada amplifier RF berdaya tinggi.