Komponen Pemancar

SD2932RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
- GOLD METALLIZATION- EXCELLENT THERMAL STABILITY- COMMON SOURCE CONFIGURATION, PUSH-PULL- POUT = 300W MIN. WITH 15 dB GAIN @175 MHz

A 650 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band. The BLF184XR and BLF184XRS are capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR > 65 : 1 through all phases under the following conditions: VDS = 50 V; IDq = 100 mA; PL = 650 W pulsed; f = 108 MHz.

1W wideband transistor NPN 7 GHz dengan casing plastik 4-pin SOT223

N-Channel VHF/UHF Amplifier Transistor

Transistor NPN general-purpose

Transistor RF 2SC1971 dengan power output 6W yang didesain untuk frekuensi VHF

Transistor Daya RF 1500W NXP MRF1K50H ini dirancang untuk menghasilkan 1.50kW CW pada tegangan 50V sehingga mengurangi jumlah transistor pada amplifier RF berdaya tinggi.

NXP MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor dirancang untuk menghasilkan 1800W pada tegangan 65V CW (Continuous Wave) untuk aplikasi dari 1MHz sampai 470MHz dan mampu menangani rasio tegangan berdiri 65: 1 (VSWR).

BLF189XR merupakan transistor LDMOS dengan daya 1700 W yang sangat tangguh untuk aplikasi siaran dan industri di band HF sampai 500 MHz, Ampleon BLF189XR mendukung aplikasi CO2, plasma RF, radio dan VHF.

Transistor daya LDMOS 1700 W yang sangat kuat untuk aplikasi siaran dan industri pada band HF hingga 500 MHz