MRFX1K80H RF Power Transistor 1800W

NXP MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor dirancang untuk menghasilkan 1800W pada tegangan 65V CW (Continuous Wave) untuk aplikasi dari 1MHz sampai 470MHz dan mampu menangani rasio tegangan berdiri 65: 1 (VSWR).

Rp 4.000.000 Tanpa pajak
Barang terakhir dalam stok 2 item
 Customer ratings and reviews
 (5/5)  - 1 rating(s) - 1 review(s)
View distribution
Reference:
MRFX1K80H
Add to compare0
Add to wishlist
Love0
Keterangan

NXP MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor dirancang untuk menghasilkan 1800W pada TEGANGAN 65V CW (Continuous Wave) untuk aplikasi dari 1MHz sampai 470MHz dan mampu menangani rasio tegangan berdiri 65: 1 (VSWR).

Tegangan tinggi dari MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor memungkinkan daya keluaran lebih tinggi, yang membantu mengurangi jumlah transistor untuk digabungkan, menyederhanakan kompleksitas penguat daya dan mengurangi ukurannya. Tegangan tinggi juga menurunkan arus di sistem, membatasi tekanan pada catu daya DC dan mengurangi radiasi magnetik.

MRFX1K80 juga kompatibel dengan transistor NXP LDMOS generasi sebelumnya, sehingga memungkinkan desainer RF untuk menggunakan kembali desain papan sirkuit tercetak (PCB) yang ada untuk waktu yang lebih singkat ke pasar.

MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor ditawarkan dalam dua jenis paket. MRFX1K80H ditempatkan dalam paket keramik rongga NI-1230, dengan ketahanan termal rendah 0,09ºC / W. MRFX1K80N ditempatkan dalam paket plastik OM-1230 Over-Molded, dan biasanya akan menawarkan ketahanan termal 30% lebih rendah.

Features
  • Based on 65V LDMOS technology
  • Wide 1MHz to 470MHz frequency range
  • Characterized from 30V to 65V for extended power range
  • High breakdown voltage for enhanced reliability and higher efficiency architectures
  • High drain-source avalanche energy absorption capability
  • Suitable for linear application with appropriate biasing
  • Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
  • Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
  • VSWR >65:1 at all phase angles
  • 24dB power gain @ 230Mhz (typical)
  • 74% Efficiency (typical)
  • Low thermal resistance
  • RoHS compliant
Applications
  • Industrial, Scientific, Medical (ISM)
    • Laser generation
    • Plasma etching
    • Magnetic Resonance Imaging (MRI)
    • Diathermy, skin laser, RF ablation
    • Industrial heating, welding and drying systems
    • Particle accelerators
  • Broadcast
    • Radio broadcast (FM/DAB)
    • VHF TV broadcast
  • Aerospace
    • VHF omnidirectional range (VOR)
    • HF and VHF communications
    • Weather radar
  • Mobile Radio
    • VHF base station

Detail produk
MRFX1K80H
By on 18 Jul 2017 (MRFX1K80H RF Power Transistor 1800W) :
(5/5

No.1 ready stock MRFX1K80H di Indonesia

Dapet pertama kali MRFX1K80H high power transistor di RF-Kit Electronics, mantaap....., siap testing!

Report abuse

Settings

Menu

Create a free account to save loved items.

Sign in

Create a free account to use wishlists.

Sign in